IXTQ52N30P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 300В, 52А, 400Вт, TO3P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 630 руб.
от 3 шт. —
1 410 руб.
от 10 шт. —
1 110 руб.
от 30 шт. —
946.67 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 630 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой IXTQ52N30P от производителя IXYS представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа типа THT. Этот транзистор обладает током стока 52 А и напряжением сток-исток, достигающим 300 В, что делает его идеальным выбором для задач, требующих большой мощности. С мощностью в 400 Вт и сопротивлением в открытом состоянии всего 0,073 Ом, он обеспечивает высокую эффективность при минимальных потерях энергии. В корпусе TO3P этот компонент легко интегрируется в различные области применения, где требуется надежное управление мощностью. Код товара IXTQ52N30P станет ключевым элементом в вашем проекте, обеспечивая стабильную работу и долговечность. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 52 |
| Напряжение сток-исток, В | 300 |
| Мощность, Вт | 400 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.073 |
| Корпус | TO3P |
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 52 A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-3P-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 400 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 110 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 66 mOhms |
| Rise Time: | 22 ns |
| Series: | IXTQ52N30 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Вес, г | 5.31 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 146 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
