IXFN180N25T, Модуль, одиночный транзистор, Uds 250В, Id 168А, SOT227B, винтами
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 680 руб.
от 3 шт. —
5 240 руб.
от 10 шт. —
4 630 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 680 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\Transistor modules MOSFET\Semiconductors
Технические параметры
| Case | SOT227B |
| Drain current | 168A |
| Drain-source voltage | 250V |
| Electrical mounting | screw |
| Gate charge | 364nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | IXYS |
| Mechanical mounting | screw |
| On-state resistance | 12.9mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 900W |
| Pulsed drain current | 500A |
| Reverse recovery time | 200ns |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | GigaMOS™ |
| Type of module | MOSFET transistor |
| Вес, г | 37.16 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 162 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
