Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRFP260NPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой ...

IRFP260NPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 35А, 300Вт, TO247AC

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

740 руб.

от 5 шт. — 650 руб.

от 25 шт. — 495 руб.

от 100 шт. — 387.31 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 740 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8002566154

Артикул: IRFP260NPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 35А, 300Вт, TO247AC Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	50 A
Pd - рассеивание мощности	300 W
Qg - заряд затвора	156 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	40 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.8 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	60 ns
Время спада	48 ns
Высота	20.7 mm
Длина	15.87 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	27 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	400
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	55 ns
Типичное время задержки при включении	17 ns
Торговая марка	Infineon / IR
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Ширина	5.31 mm
Крутизна характеристики S,А/В	27
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	40
Температура, С	-55…+175
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	50A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	300W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance	40mО© @ 28A,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200V
Vgs - Gate-Source Voltage	4V @ 250uA
Brand	Infineon Technologies
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	350
Fall Time	48 ns
Forward Transconductance - Min	27 S
Height	20.7 mm
Id - Continuous Drain Current	50 A
Length	15.87 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	300 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	156 nC
Rise Time	60 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	55 ns
Typical Turn-On Delay Time	17 ns
Unit Weight	1.340411 oz
Width	5.31 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	50 A
Maximum Drain Source Resistance	40 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Power Dissipation	300 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247AC
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	234 nC @ 10 V
Время	задержки включения/выключения-17/55 нс
Диапазон рабочих температур	-55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальное напряжение сток-исток, В	200
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	50
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	40
Мощность	рассеиваемая(Pd)-300 Вт
Напряжение	пороговое затвора(Vgs th)-1.8 В
Описание	200V, 50A N-Channel MOSFET
Способ монтажа	Through Hole
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
Вес, г	5.57