Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Infineon › BCM856SH6327, Транзистор: PNP x2, биполярный ...

BCM856SH6327, Транзистор: PNP x2, биполярный, 65В, 0,1А, 0,25Вт, SOT363

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

67 руб.

Кратность заказа 5 шт.

от 25 шт. — 40 руб.

от 100 шт. — 32 руб.

от 500 шт. — 23.95 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 335 руб.

Номенклатурный номер: 8002567310

Артикул: BCM856SH6327

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Описание Биполярный транзистор BCM856SH6327 от производителя INFINEON представляет собой высококачественный компонент для монтажа типа SMD. С типом PNP и корпусом SOT363, этот транзистор способен выдерживать ток коллектора до 0,1 А и напряжение коллектор-эмиттер до 65 В, обладая при этом мощностью 0,25 Вт. Превосходный выбор для разработки электронных схем, где требуются компактные и надежные компоненты. Код товара BCM856SH6327 подчеркивает его уникальность и облегчает поиск в каталоге. В области применения такие транзисторы находят широкое применение от бытовой электроники до промышленных устройств, благодаря своей эффективности и долговечности. Товар BCM856SH6327 представляет собой идеальное решение для специалистов, стремящихся к оптимизации своих проектов. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	PNP
Монтаж	SMD
Ток коллектора, А	0.1
Напряжение коллектор-эмиттер, В	65
Мощность, Вт	0.25
Корпус	SOT363

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	BCM856SH6327XT BCM856SH6327XTSA1 SP000747592
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	630
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	200 mA
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	65 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	250 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	250 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BCM856
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	SOT-363-6
Вес, г	0.02