AOD3N50, Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 1,8А, 57Вт, TO252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
от 5 шт. —
140 руб.
от 25 шт. —
111 руб.
от 100 шт. —
85.05 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 280 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 1,8А, 57Вт, TO252 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | TO252 |
Drain current | 1.8A |
Drain-source voltage | 500V |
Gate charge | 6.7nC |
Gate-source voltage | ±30V |
Kind of channel | enhanced |
Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 3Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 57W |
Type of transistor | N-MOSFET |
Automotive | Unknown |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 2.8 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 3000@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 500 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ?30 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 57000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (?C) | -50~150 |
Pin Count | 3 |
Standard Package Name | TO-252 |
Supplier Package | DPAK |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 6.7 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 6.7@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 276@25V |
Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 276 КБ
Документация
pdf, 276 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов