BC32725TA, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.8 А, 0.625 Вт

Фото 1/5 BC32725TA, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.8 А, 0.625 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8 руб.
Мин. кол-во для заказа 64 шт.
от 112 шт.7 руб.
от 223 шт.5.30 руб.
от 446 шт.4.70 руб.
Добавить в корзину 64 шт. на сумму 512 руб.
Номенклатурный номер: 8688654691
Артикул: BC32725TA

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.8 А, 0.625 Вт

Технические параметры

Корпус TO92/formed lead
Brand: onsemi/Fairchild
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 700 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: -800 mA
DC Current Gain hFE Max: 630
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: onsemi
Maximum DC Collector Current: 800 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-92-3 Kinked Lead
Packaging: Ammo Pack
Part # Aliases: BC32725TA_NL
Pd - Power Dissipation: 625 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: BC327
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP
Base Part Number BC327
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 100MHz
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150В°C(TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(Formed Leads)
Packaging Tape & Box(TB)
Part Status Active
Power - Max 625mW
Series -
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Maximum Collector Emitter Voltage -45 V
Maximum DC Collector Current -800 mA
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 625 mW
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-92
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 0.31

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 188 КБ
Datasheet
pdf, 308 КБ
Документация
pdf, 244 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов