BS170-D27Z, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 500мА, 830мВт, TO92
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
85 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт. —
41 руб.
от 100 шт. —
33 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 425 руб.
Посмотреть аналоги14
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 500мА, 830мВт, TO92 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Forward Transconductance - Min: | 0.32 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Part # Aliases: | BS170_D27Z |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
| Series: | BS170 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | FET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 881 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
