SI1022R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,24А, 0,13Вт, SC75A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 25 шт. —
80 руб.
от 100 шт. —
62 руб.
от 500 шт. —
51.85 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 330 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,24А, 0,13Вт, SC75A Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 330 mA |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SOT-416-3 |
| Part # Aliases: | SI1022R-GE3 |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 600 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.25 Ohms |
| Series: | SI1 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TrenchFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 0.013 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 151 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
