STD1HN60K3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 0,76А, 27Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 шт., срок 6 недель

300 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 300 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8002596566

Артикул: STD1HN60K3

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 0,76А, 27Вт, DPAK Характеристики

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	31 ns
Id - Continuous Drain Current:	1.2 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-252-3
Pd - Power Dissipation:	27 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	9.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	6.7 Ohms
Rise Time:	10 ns
Series:	STD1HN60K3
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	SuperMESH
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	23 ns
Typical Turn-On Delay Time:	7 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3.75 V
Вес, г	0.4