IRFD9220PBF, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -200В, -0,36А, 1Вт, DIP4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
от 5 шт. —
190 руб.
от 25 шт. —
165 руб.
от 100 шт. —
127.65 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -200В, -0,36А, 1Вт, DIP4 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 560 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | IRFD |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | DIP-4 |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single Dual Drain |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.56 |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 1500 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 4 |
| Pin Count | 4 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | DIP |
| Supplier Package | HVMDIP |
| Typical Fall Time (ns) | 19 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 15(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 15(Max)10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 340 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 27 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 7.3 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.8 |
| RoHS | Подробности |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 20 V |
| Время нарастания | 27 ns |
| Время спада | 27 ns |
| Производитель | Vishay |
| Типичное время задержки выключения | 7.3 ns |
| Power Dissipation | 1.3Вт |
| Вес, г | 0.31 |
Техническая документация
Datasheet IRFD9220PBF
pdf, 826 КБ
Datasheet IRFD9220PBF
pdf, 1678 КБ
Datasheet IRFD9220PBF
pdf, 833 КБ
Документация
pdf, 1677 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
