IR2109STRPBF, Драйвер полумостовой 8SOIC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 560 руб.
Описание
Микросхемы / Драйверы и ключи / Драйверы MOSFET, IGBT
Драйвер полумостовой 8SOIC
Технические параметры
| Корпус | SOIC8N | |
| Brand: | Infineon Technologies | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
| Fall Time: | 80 ns | |
| Features: | Synchronous | |
| Logic Type: | CMOS, TTL | |
| Manufacturer: | Infineon | |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C | |
| Maximum Turn-Off Delay Time: | 200 ns | |
| Maximum Turn-On Delay Time: | 750 ns | |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C | |
| Moisture Sensitive: | Yes | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Drivers: | 2 Driver | |
| Number of Outputs: | 2 Output | |
| Operating Supply Current: | 1.6 mA | |
| Output Current: | 120 mA | |
| Output Voltage: | 10 V to 20 V | |
| Package / Case: | SOIC-8 | |
| Part # Aliases: | IR2109STRPBF SP001547168 | |
| Pd - Power Dissipation: | 625 mW | |
| Product Category: | Gate Drivers | |
| Product Type: | Gate Drivers | |
| Product: | Half-Bridge Drivers | |
| Propagation Delay - Max: | 950 ns | |
| Rise Time: | 220 ns | |
| Shutdown: | Yes | |
| Subcategory: | PMIC-Power Management ICs | |
| Supply Voltage - Max: | 20 V | |
| Supply Voltage - Min: | 10 V | |
| Technology: | Si | |
| Type: | High-Side, Low-Side | |
| Fall Time | 80ns | |
| Logic Type | CMOS, LSTTL | |
| Package Type | SOIC 8N | |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 349 КБ
Datasheet IR21094SPBF
pdf, 352 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
