IXFA110N15T2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 110А, 480Вт, TO263, 85нс

Фото 1/3 IXFA110N15T2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 110А, 480Вт, TO263, 85нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 600 руб.
от 3 шт.1 420 руб.
от 10 шт.1 100 руб.
от 50 шт.896.07 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 600 руб.
Номенклатурный номер: 8002614513
Артикул: IXFA110N15T2
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 110А, 480Вт, TO263, 85нс Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 110 A
Pd - рассеивание мощности 480 W
Qg - заряд затвора 150 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 11 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 16 ns
Время спада 18 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single Dual Drain
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 75 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 50
Серия IXFA110N15
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 33 ns
Типичное время задержки при включении 33 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-263-3
Вес, г 1.54

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов