IXFA110N15T2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 110А, 480Вт, TO263, 85нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 600 руб.
от 3 шт. —
1 420 руб.
от 10 шт. —
1 100 руб.
от 50 шт. —
896.07 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 600 руб.
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 110А, 480Вт, TO263, 85нс Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 110 A |
Pd - рассеивание мощности | 480 W |
Qg - заряд затвора | 150 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 16 ns |
Время спада | 18 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single Dual Drain |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 75 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IXFA110N15 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 33 ns |
Типичное время задержки при включении | 33 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Вес, г | 1.54 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов