FMD15-06KC5, Транзистор: N-MOSFET, HiPerDynFRED, полевой, 600В, 15А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 460 руб.
от 3 шт. —
3 870 руб.
от 10 шт. —
3 160 руб.
от 25 шт. —
2 887.47 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 460 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, HiPerDynFRED, полевой, 600В, 15А Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | ISOPLUS i4-pac™ x024a |
| Drain current | 15A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Features of semiconductor devices | super junction coolmos |
| Gate charge | 40nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.165Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Semiconductor structure | diode/transistor |
| Technology | HiPerDynFRED |
| Topology | boost chopper |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 118 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
