IXFH160N15T2, Транзистор N-MOSFET, 150В, 160А, 880Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 260 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 260 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 160A |
| Drain-source voltage | 150V |
| Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
| Gate charge | 253nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 9mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 880W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6.29 |
Техническая документация
Datasheet IXFH160N15T2
pdf, 196 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![AFT09MS015NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 16 Вт, 12.5 В [PLD-1.5W]](https://static.chipdip.ru/lib/801/DOC004801069.jpg)
![STW9N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500В, 2.2Ом, 8А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/964/DOC000964116.jpg)
![STW45NM50, Транзистор MOSFET N-канал 500В 45А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307885.jpg)
![STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом, 51А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/964/DOC000964112.jpg)
