IXFQ60N25X3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 60А, 320Вт, TO3P, 95нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 070 руб.
от 3 шт. —
1 620 руб.
от 10 шт. —
1 380 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 070 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 60А, 320Вт, TO3P, 95нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO3P |
| Drain current | 60A |
| Drain-source voltage | 250V |
| Features of semiconductor devices | ultra junction x-class |
| Gate charge | 50nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 23mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 320W |
| Reverse recovery time | 95ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 5.29 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 313 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![IRFP4668PBF, Транзистор, N-канал 200В 130А [TO-247AC]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307909.jpg)
![STW9N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500В, 2.2Ом, 8А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/964/DOC000964116.jpg)
![AFT09MS015NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 16 Вт, 12.5 В [PLD-1.5W]](https://static.chipdip.ru/lib/801/DOC004801069.jpg)
![IPW60R037P7XKSA1, Транзистор N-MOSFET 650В 76A [TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом, 51А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/964/DOC000964112.jpg)
