FDS8447, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 12,8А, 2,5Вт, SO8, PowerTrench®

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

600 руб.

от 5 шт. — 340 руб.

от 25 шт. — 236 руб.

от 100 шт. — 197.91 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 600 руб.

Номенклатурный номер: 8002646505

Артикул: FDS8447

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types.

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	12.8 A
Maximum Drain Source Resistance	10.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	2.5 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOIC
Pin Count	8
Series	PowerTrench
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	7 nC @ 10 V
Width	4mm
Product Height	1.5mm
Product Length	5mm
Product Width	3.99mm
Supplier Package	SOIC
Typical Fall Time	7ns
Typical Rise Time	14ns
Typical Turn-Off Delay Time	27ns
Typical Turn-On Delay Time	11ns
конфигурация	Single; Quad Drain, Triple Source
максимальная рабочая температура	150°C
монтаж (установка)	Surface Mount
разрешение	Power MOSFET
Вес, г	0.12