SKM100GB176D, Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,7кВ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 шт., срок 6 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
29 120 руб.
от 3 шт. —
25 610 руб.
от 8 шт. —
21 570 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 29 120 руб.
Описание
Описание Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,7кВ Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Half Bridge |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1700 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 125 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | SEMITRANS2 |
| Pin Count | 7 |
| Transistor Configuration | Series |
| Вес, г | 154.4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![SKIIP35NAB126V1 + Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой инвертор) [MiniSKiiP 3]](https://static.chipdip.ru/lib/098/DOC006098584.jpg)
