STB100NF04T4, Транзистор N-MOSFET, STripFET™ II, полевой, 60В, 2,9А, Idm 16А

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

454 шт. со склада г.Москва, срок 4-5 недель

1 020 руб.

от 5 шт. — 800 руб.

от 25 шт. — 641 руб.

от 100 шт. — 562.48 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 020 руб.

Посмотреть альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8002654747

Артикул: STB100NF04T4

Бренд / Производитель: STMicroelectronics

МОП-транзистор N-Ch 40 Volt 120 Amp

Id - непрерывный ток утечки	120 A
Pd - рассеивание мощности	300 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	220 ns
Время спада	50 ns
Высота	4.6 mm
Длина	10.4 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Квалификация	AEC-Q101
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	150 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STB100NF04
Технология	Si
Тип	MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	80 ns
Типичное время задержки при включении	35 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	TO-263-3
Ширина	9.35 mm
Вес, г	1.81

pdf, 929 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем