FDS4675, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -40В, -11А, 2,4Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 руб.
от 5 шт. —
290 руб.
от 25 шт. —
217 руб.
от 100 шт. —
184.38 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 370 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\P channel transistors
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -40В, -11А, 2,4Вт, SO8 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Drain current | -11A |
| Drain-source voltage | -40V |
| Gate charge | 56nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 21mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 2.4W |
| Technology | PowerTrench® |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 169 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
