IXFA12N50P, Транзистор N-MOSFET, Polar™, полевой, 500В, 12А, 200Вт, TO263
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 090 руб.
от 3 шт. —
870 руб.
от 10 шт. —
719 руб.
от 50 шт. —
593.26 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 090 руб.
Описание
МОП-транзистор 500V 12A
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Qg - заряд затвора | 29 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 500 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 27 ns |
| Время спада | 20 ns |
| Высота | 16 mm |
| Длина | 10.66 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7.5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IXFA12N50P |
| Технология | Si |
| Тип | Polar Power MOSFET HiPerFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 65 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 4.83 mm |
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1830pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 6A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HiPerFETв„ў, PolarP2в„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-263 (IXFA) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 1mA |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IXFA12N50P
pdf, 147 КБ
Datasheet IXFA12N50P
pdf, 152 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
