SI4946BEY-T1-E3, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 60В, 4,4А, 3,7Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
от 5 шт. —
220 руб.
от 25 шт. —
183 руб.
от 100 шт. —
142.26 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 320 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой SI4946BEY-T1-E3 от производителя VISHAY – это высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD), предназначенный для широкого спектра электронных применений. Вид N-MOSFET данного транзистора гарантирует отличное управление током с максимальным значением стока до 5,8 А, а также стабильную работу при напряжении сток-исток до 60 В. Мощность устройства составляет 2,6 Вт, что обеспечивает его надежную работу в различных схемах. Особенно впечатляет низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,052 Ом, что свидетельствует о высокой эффективности и экономичности компонента. Упакованный в компактный корпус SO8, SI4946BEYT1E3 станет незаменимым элементом в вашем следующем проекте. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 5.8 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 2.6 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.052 |
| Корпус | SO8 |
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 24 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.5 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Part # Aliases: | SI4946BEY-E3 |
| Pd - Power Dissipation: | 3.7 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 41 mOhms |
| Rise Time: | 12 ns |
| Series: | SI4 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TrenchFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.052 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SO-8 |
| Pin Count | 8 |
| Series | TrenchFET |
| Automotive | No |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.5 |
| Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A) | 5.3 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.2 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 41@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Resistance (Ohm) | 9.5 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 110 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2400 |
| Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) | 2.4 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 30 |
| Minimum Gate Resistance (Ohm) | 3.1 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | NRND |
| PCB changed | 8 |
| PPAP | No |
| Process Technology | TrenchFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SO |
| Supplier Package | SOIC N |
| Typical Diode Forward Voltage (V) | 0.8 |
| Typical Fall Time (ns) | 30|10 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 17 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 9.2@5V|17@10V |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 3.8 |
| Typical Gate Threshold Voltage (V) | 2.4 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 3.7 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 3.3 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 840@30V |
| Typical Output Capacitance (pF) | 71 |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 25 |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 25 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 44@30V |
| Typical Rise Time (ns) | 120|12 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20|25 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10|20 |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
