IXFN50N120SIC, Модуль транзисторный, 47А, винтами, SOT227B, URmax 1,2кВ, винтами
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 330 руб.
от 3 шт. —
20 480 руб.
от 10 шт. —
16 650 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 23 330 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\Transistor modules MOSFET\Semiconductors
Описание Модуль транзисторный, 47А, винтами, SOT227B, URmax 1,2кВ, винтами Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | модуль |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SOT227B |
| Drain current | 30A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Electrical mounting | screw |
| Gate charge | 0.1µC |
| Gate-source voltage | -10…25V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | IXYS |
| Mechanical mounting | screw |
| On-state resistance | 50mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Reverse recovery time | 26ns |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | HiPerFET™, SiC |
| Type of module | MOSFET transistor |
| Вес, г | 37.46 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 299 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
