MUN5213T1G, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 310мВт, SOT323
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
65 руб.
от 10 шт. —
36 руб.
от 25 шт. —
23 руб.
от 100 шт. —
14.77 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 65 руб.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 310мВт, SOT323 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 202 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.85 mm |
| Длина | 2.1 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80, 140 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | MUN5213 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 47 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-70-3 |
| Ширина | 1.24 mm |
| Base-Emitter Resistor | 47kΩ |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 310 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-323(SC-70) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Typical Input Resistor | 47 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
