STP200NF04
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
97 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 дня
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
от 67 шт. —
101 руб.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 3 900 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание MOSFET транзистор, TO-220
Технические параметры
| Корпус | to220ab | |
| кол-во в упаковке | 50 | |
| Automotive | Yes | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 120 | |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 3.7@10V | |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 40 | |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 | |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 310000 | |
| Military | No | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 | |
| Packaging | Tube | |
| Pin Count | 3 | |
| Process Technology | STripFET II | |
| Standard Package Name | TO-220 | |
| Supplier Package | TO-220 | |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 170 | |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 170@10V | |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 5100@25V | |
| Вес, г | 3.5 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
