IXFX220N17T2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 170В, 220А, 1250Вт, PLUS247™

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 620 руб.

от 3 шт. — 2 850 руб.

от 10 шт. — 2 330 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 620 руб.

Номенклатурный номер: 8002728794

Артикул: IXFX220N17T2

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 170В, 220А, 1250Вт, PLUS247™ Характеристики

Brand:	IXYS
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	30
Id - Continuous Drain Current:	220 A
Manufacturer:	IXYS
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	1.25 mW
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	500 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	6.3 mOhms
Series:	IXFX220N17
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	HiPerFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	170 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
Вес, г	6.76