IRFIZ24NPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 13А, 26Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
410 руб.
от 3 шт. —
280 руб.
от 10 шт. —
226 руб.
от 50 шт. —
166.36 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 410 руб.
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 13А, 26Вт, TO220FP Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
Pd - рассеивание мощности | 29 W |
Qg - заряд затвора | 20 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 70 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 15.65 mm |
Длина | 10 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.4 mm |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 14A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 370pF @ 25V |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 29W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 7.8A, 10V |
Series | HEXFETВ® |
Supplier Device Package | TO-220AB Full-Pak |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Вес, г | 2.13 |
Техническая документация
Datasheet IRFIZ24NPBF
pdf, 211 КБ
IRFIZ24NPBF Datasheet
pdf, 213 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов