IRFBE20
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
200 руб.
от 10 шт. —
174 руб.
от 40 шт. —
155 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 540 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 1,8А, Idm: 7,2А, 54Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.8A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 54W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5Ohm @ 1.1A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Process Technology | HEXFET |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 800 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 1.8 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6500@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 38(Max)@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 38(Max) |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 530@25V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 54000 |
| Typical Fall Time (ns) | 27 |
| Typical Rise Time (ns) | 17 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 58 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.2 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 9.01(Max) |
| Package Length | 10.41(Max) |
| Package Width | 4.7(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Lead Shape | Through Hole |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IRFBE |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Base Product Number | IRFBE20 -> |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf |
| Package | Tube |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 6.5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 54 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Package Type | TO-220AB |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Width | 4.7mm |
| Вес, г | 2.74 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1001 КБ
Datasheet
pdf, 1000 КБ
Datasheet IRFBE20PBF
pdf, 379 КБ
Datasheet IRFBE20PBF
pdf, 1145 КБ
IRFBE20 datasheet
pdf, 171 КБ
Документация
pdf, 1144 КБ
Datasheet IRFBE20
pdf, 260 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
