SPW11N80C3FKSA1

Фото 2/8 SPW11N80C3FKSA1Фото 3/8 SPW11N80C3FKSA1Фото 4/8 SPW11N80C3FKSA1Фото 5/8 SPW11N80C3FKSA1Фото 6/8 SPW11N80C3FKSA1Фото 7/8 SPW11N80C3FKSA1Фото 8/8 SPW11N80C3FKSA1
Фото 1/8 SPW11N80C3FKSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
75 шт. со склада г.Москва, срок 4 рабочих дня
350 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 6 шт.210 руб.
от 12 шт.185 руб.
от 30 шт.164 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 700 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002928024
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-247, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 800В 11А 156Вт CoolMOS

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 11 A
Тип корпуса TO-247
Максимальное рассеяние мощности 156 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 5.21мм
Высота 21.1мм
Размеры 16.13 x 5.21 x 21.1мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 16.13мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 25 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 72 нс
Серия CoolMOS C3
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage 2.1V
Максимальное сопротивление сток-исток 450 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 800 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 64 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1600 пФ при 100 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки 11 A
Pd - рассеивание мощности 156 W
Qg - заряд затвора 85 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 390 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.1 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 15 ns
Время спада 10 ns
Высота 21.1 mm
Длина 16.13 mm
Другие названия товара № SP000013703 SPW11N80C3 SPW11N8C3XK
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение CoolMOS
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 240
Серия CoolMOS C3
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 72 ns
Типичное время задержки при включении 25 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Ширина 5.21 mm
Base Product Number SPW11N80 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 7.1A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series CoolMOSв„ў ->
Supplier Device Package PG-TO247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 680ВµA
Вес, г 7.96

Техническая документация

SPW11N80C3 datasheet
pdf, 245 КБ

Дополнительная информация

Datasheet SPW11N80C3FKSA1
Datasheet SPW11N80C3FKSA1
Datasheet SPW11N80C3FKSA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах