STP10N95K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
1 010 руб.
от 2 шт. —
880 руб.
от 5 шт. —
793 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 010 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, SuperMESH5™, полевой, 950В, 5А, 130Вт Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 15 ns |
Id - Continuous Drain Current | 8 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 130 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 22 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 800 mOhms |
Rise Time | 14 ns |
RoHS | Details |
Series | MDmesh K5 |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 51 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 22 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 950 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
Pd - рассеивание мощности | 130 W |
Qg - заряд затвора | 22 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 800 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 950 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 14 ns |
Время спада | 15 ns |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | SuperMESH |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STP10N95K5 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 51 ns |
Типичное время задержки при включении | 22 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
Maximum Drain Source Resistance | 800 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 950 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Power Dissipation | 130 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.