AOB190A60L, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 12А, 208Вт, TO263
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 240 руб.
от 5 шт. —
990 руб.
от 25 шт. —
794 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 240 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 12А, 208Вт, TO263 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO263 |
| Drain current | 12A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Gate charge | 34nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.19Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 208W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1.65 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 416 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
