FGA6065ADF
2 220 руб.
от 2 шт. —
2 060 руб.
от 5 шт. —
1 950 руб.
от 10 шт. —
1 870 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 220 руб.
Описание
Электроэлемент
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Collector Current (DC) | 120(A) |
| Configuration | Single |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Operating Temperature (Max) | 175C |
| Operating Temperature (Min) | -55C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | TO-3P |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Rad Hardened | No |
| Вес, г | 7.25 |
Техническая документация
Документация
pdf, 511 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
