BFU550WF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
от 2 шт. —
200 руб.
от 10 шт. —
158 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Описание
Электроэлемент
RF TRANSISTOR, AUTO, NPN, 12V, SOT323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:11GHz; Power Dissipation Pd:450mW; DC Collector Current:50mA; DC Current Gain hFE:60hFE; RF
Технические параметры
Brand | NXP Semiconductors |
Factory Pack Quantity | 10000 |
Manufacturer | NXP |
Packaging | Reel |
Product Category | RF Bipolar Transistors |
RoHS | Details |
Brand: | NXP Semiconductors |
Collector- Base Voltage VCBO: | 24 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 12 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 50 mA |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 60 |
DC Current Gain hFE Max: | 200 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 2 V |
Factory Pack Quantity: | 10000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 11 GHz |
Manufacturer: | NXP |
Maximum DC Collector Current: | 80 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Operating Frequency: | 11 GHz |
Operating Temperature Range: | -40 C to+150 C |
Output Power: | 13.5 dBm |
Package/Case: | SOT-323-3 |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Part # Aliases: | 934067695135 |
Pd - Power Dissipation: | 450 mW |
Product Category: | RF Bipolar Transistors |
Product Type: | RF Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Transistor Type: | Bipolar Wideband |
Type: | Wideband RF Transistor |
Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 307 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов