PDTA124ET

Фото 1/4 PDTA124ET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
91 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.38 руб.
от 10 шт.20 руб.
от 100 шт.4.28 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 182 руб.
Альтернативные предложения5
Номенклатурный номер: 8002978327
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Электроэлемент
TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23; Digital Transistor Polarity:Single PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:-100mA; Base Input Resistor R1:22kohm; Base-Emitter Resistor R2:22kohm; Resisto

Технические параметры

Transistor Polarity PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
Base Product Number PDTA124 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 250mW
REACH Status REACH Unaffected
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Collector Current (Ic) 100mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 50V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 60@5mA, 5V
Power Dissipation (Pd) 250mW
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet PDTA124ET,215
pdf, 1050 КБ
Datasheet PDTA124ET,215
pdf, 175 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов