PUMD3

Фото 1/6 PUMD3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
95 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.41 руб.
от 10 шт.25 руб.
от 100 шт.15.25 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 190 руб.
Альтернативные предложения5
Номенклатурный номер: 8002981079
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Электроэлемент
TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363; Digital Transistor Polarity:NPN and PNP Complement; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor

Технические параметры

Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Manufacturer Nexperia USA Inc.
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging Digi-ReelВ®
Part Status Active
Power - Max 300mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Standard Package 1
Supplier Device Package 6-TSSOP
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP-Pre-Biased(Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.2 mm
Другие названия товара № 934050170115
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Квалификация AEC-Q101
Количество каналов 2 Channel
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN, PNP
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 1
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок TSSOP-6
Ширина 1.35 mm
Base Product Number P*MD3 ->
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Collector-Emitter Breakdown Voltage 50V
Maximum DC Collector Current 100mA
Pd - Power Dissipation 300mW
Maximum Collector Emitter Voltage 50 V
Maximum Emitter Base Voltage 10 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 300 mW
Number of Elements per Chip 2
Package Type SOT-363(SC-88)
Pin Count 6
Transistor Configuration Isolated
Typical Input Resistor 10 kΩ
Typical Resistor Ratio 1
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 980 КБ
Datasheet PUMD3,115
pdf, 1118 КБ
Datasheet PUMD3.115
pdf, 1606 КБ
PEMD3_PIMD3_PUMD3
pdf, 1688 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов