IXTH110N10L2

IXTH110N10L2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 6-9 дней
7 720 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 7 720 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002981249
Бренд: Littelfuse

Описание

Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 110A, TO-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:110A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Thres 03AH1457

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 110A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10500pF @ 25V
Manufacturer IXYS
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -
Package / Case TO-247-3
Packaging Bulk
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 600W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 500mA, 10V
Series Linear L2в(ў
Supplier Device Package TO-247(IXTH)
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250ВµA
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.018Ом
Power Dissipation 600Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции LinearL2 Series
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 100В
Непрерывный Ток Стока 110А
Полярность Транзистора N Channel
Пороговое Напряжение Vgs 4.5В
Рассеиваемая Мощность 600Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.018Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-247

Техническая документация

Datasheet
pdf, 137 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.