IXTH110N10L2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 6-9 дней
7 720 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 720 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 110A, TO-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:110A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Thres 03AH1457
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 110A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10500pF @ 25V |
Manufacturer | IXYS |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | - |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Bulk |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 600W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 500mA, 10V |
Series | Linear L2в(ў |
Supplier Device Package | TO-247(IXTH) |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250ВµA |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.018Ом |
Power Dissipation | 600Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | LinearL2 Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 110А |
Полярность Транзистора | N Channel |
Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
Рассеиваемая Мощность | 600Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.018Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 137 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.