FDC637AN

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

180 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 130 руб.

от 10 шт. — 106 руб.

от 52 шт. — 88.63 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 360 руб.

Номенклатурный номер: 8002983406

Электроэлемент

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 6,2А, 1,6Вт, SuperSOT-6 Характеристики

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Lead Finish	Matte Tin
Max Processing Temp	260
Maximum Continuous Drain Current	6.2 A
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Maximum Gate Source Voltage	±8 V
Mounting	Surface Mount
Operating Temperature	-55 to 150 °C
RDS-on	24@4.5V mOhm
Typical Fall Time	11 ns
Typical Rise Time	13 ns
Typical Turn-Off Delay Time	26 ns
Typical Turn-On Delay Time	9 ns
Case	SuperSOT-6
Drain current	6.2A
Drain-source voltage	20V
Gate charge	16nC
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	ONSEMI
On-state resistance	41mΩ
Polarisation	unipolar
Power dissipation	1.6W
Technology	PowerTrench®
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	2