FGH60N60SFD

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 160 руб.
от 2 шт. —
1 120 руб.
от 10 шт. —
1 090 руб.
от 100 шт. —
1 050 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 160 руб.
Номенклатурный номер: 8002983468
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***
Описание
IGBT, SINGLE, AEC-Q101, 600V, TO247AB; DC Collector Current:120A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.2V; Power Dissipation Pd:378W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Технические параметры
Base Part Number | FGH60N60 |
Current - Collector (Ic) (Max) | 120A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 180A |
Gate Charge | 198nC |
IGBT Type | Field Stop |
Input Type | Standard |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В C ~ 150В C(TJ) |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power - Max | 378W |
Reverse Recovery Time (trr) | 47ns |
Series | - |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Switching Energy | 1.79mJ(on), 670ВuJ(off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 22ns/134ns |
Test Condition | 400V, 60A, 5Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V 15V, 60A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Вес, г | 7.44 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов