FJV1845FMTF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
45 руб.
от 10 шт. —
28 руб.
от 100 шт. —
12.73 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 200 руб.
Описание
Электроэлемент
50nA 120V 300mW 300@1mA,6V 50mA 110MHz 70mV@10mA,1mA NPN +150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT
Технические параметры
Base Part Number | FJV1845 |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA(ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1mA, 6V |
Frequency - Transition | 110MHz |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power - Max | 300mW |
Series | - |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.93 mm |
Длина | 2.92 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 1200 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.05 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.07 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.05 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | FJV1845 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.3 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 120 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 120 V |
Maximum DC Collector Current | 50 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 110 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 mW |
Minimum DC Current Gain | 300 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 0.039 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 68 КБ
Datasheet FJV1845FMTF
pdf, 186 КБ
Datasheet FJV1845FMTF
pdf, 186 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов