FJV1845FMTF

Фото 1/3 FJV1845FMTF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
100 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.45 руб.
от 10 шт.28 руб.
от 100 шт.12.73 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 200 руб.
Номенклатурный номер: 8002984068

Описание

Электроэлемент
50nA 120V 300mW 300@1mA,6V 50mA 110MHz 70mV@10mA,1mA NPN +150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT

Технические параметры

Base Part Number FJV1845
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA(ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition 110MHz
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C(TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Cut Tape(CT)
Part Status Active
Power - Max 300mW
Series -
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Pd - рассеивание мощности 300 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.93 mm
Длина 2.92 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 1200
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.05 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.07 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 0.05 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия FJV1845
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.3 mm
Maximum Collector Base Voltage 120 V
Maximum Collector Emitter Voltage 120 V
Maximum DC Collector Current 50 mA
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 110 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 300 mW
Minimum DC Current Gain 300
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 0.039

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 68 КБ
Datasheet FJV1845FMTF
pdf, 186 КБ
Datasheet FJV1845FMTF
pdf, 186 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов