FJV992FMTF

Фото 1/5 FJV992FMTF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
97 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.57 руб.
от 10 шт.47 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 194 руб.
Номенклатурный номер: 8002984069

Описание

Электроэлемент
TRANSISTOR, PNP, -120V, -0.05A, SOT-23-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-120V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:-50mA; DC Current Gain hFE:300hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Технические параметры

Brand ON Semiconductor/Fairchild
Collector- Base Voltage VCBO -120 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max -120 V
Collector-Emitter Saturation Voltage -300 mV
Configuration Single
Continuous Collector Current -0.05 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 200
DC Current Gain hFE Max 800
Emitter- Base Voltage VEBO -5 V
Factory Pack Quantity 3000
Gain Bandwidth Product fT 50 MHz
Height 0.93 mm
Length 2.92 mm
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 0.05 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 0.3 W
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series FJV992
Transistor Polarity PNP
Width 1.3 mm
Product Type BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory Transistors
Brand: onsemi/Fairchild
Collector- Base Voltage VCBO: 120 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 120 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: -50 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 200
DC Current Gain hFE Max: 800
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 50 MHz
Manufacturer: onsemi
Maximum DC Collector Current: 50 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 300 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: FJV992
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP
Collector Emitter Voltage Max 120В
DC Current Gain hFE Min 300hFE
DC Усиление Тока hFE 300hFE
Power Dissipation 300мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора PNP
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 50МГц
Maximum Collector Base Voltage -120 V
Maximum Collector Emitter Voltage -120 V
Maximum Emitter Base Voltage -5 V
Maximum Operating Frequency 50 MHz
Maximum Power Dissipation 300 mW
Minimum DC Current Gain 300
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 192 КБ
Datasheet
pdf, 75 КБ
Datasheet FJV992FMTF
pdf, 192 КБ
Datasheet FJV992FMTF
pdf, 193 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов