FDB44N25TM
900 руб.
от 2 шт. —
780 руб.
от 5 шт. —
700 руб.
от 10 шт. —
658.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 900 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 250V, 44A, TO-263AB-2; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:44A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):0.058ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V;
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 800 |
| Fall Time | 115 ns |
| Forward Transconductance - Min | 32 S |
| Height | 4.83 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 44 A |
| Length | 10.67 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 307 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 69 mOhms |
| Rise Time | 400 ns |
| RoHS | Details |
| Series | FDB44N25 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 85 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 55 ns |
| Unit Weight | 0.046296 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 9.65 mm |
| Вес, г | 1.312 |
Техническая документация
Документация
pdf, 530 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
