FDC6327C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
140 руб.
от 10 шт. —
119 руб.
от 100 шт. —
105.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 340 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N/P-MOSFET, полевой, дополнительная пара, 20/-20В Характеристики | Категория | Диод |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.7A, 1.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 10V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 700mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Series | PowerTrenchВ® |
| Supplier Device Package | SuperSOTв(ў-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250ВµA |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.9А |
| Полярность Транзистора | Дополнительные каналы N и P |
| Пороговое Напряжение Vgs | 900мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 960мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.069Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.9 A, 2.7 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 130 mΩ, 270 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 960 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.85 nC @ 4.5 V, 3.25 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.7mm |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 148 КБ
Datasheet FDC6327C
pdf, 246 КБ
Документация
pdf, 278 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
