FDC638APZ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
63 руб.
от 10 шт. —
53 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P, SMD, SSOT-6, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.5A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.037ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:12V; Threshold Voltage Vgs:-800mV; Power Dissipation Pd:1.6W; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Current Id Max:-4.5A; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Termination Type:Surface Mount Device; Voltage Vds:-20V; Voltage Vds Typ:-20V; Voltage Vgs Max:-800mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage Vgs th Max:-1.5V
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 20 ns |
| Forward Transconductance - Min | 18 S |
| Height | 1.1 mm |
| Id - Continuous Drain Current | -4.5 A |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SSOT-6 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 43 mOhms |
| Rise Time | 20 ns |
| RoHS | Details |
| Series | FDC638APZ |
| Technology | Si |
| Tradename | PowerTrench |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 48 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
| Unit Weight | 0.00127 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| Width | 1.6 mm |
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.037Ом |
| Power Dissipation | 1.6Вт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 12В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 4.5А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 800мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 1.6Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.037Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 18 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SSOT-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 43 mOhms |
| Rise Time: | 20 ns |
| Series: | FDC638APZ |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 48 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Вес, г | 0.015 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
