FDD8796
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
210 руб.
от 10 шт. —
183 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 540 руб.
Описание
Электроэлемент
Power Field-Effect Transistor, 35A, 25V, 0.008ohm, N-Channel, MOSFET, TO-252AA
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Continuous Drain Current | 35(A) |
Drain-Source On-Volt | 25(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 175C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | DPAK |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 2+Tab |
Polarity | N |
Power Dissipation | 88(W) |
Rad Hardened | No |
Type | Power MOSFET |
Вес, г | 0.2604 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов