FDY301NZ

Фото 1/2 FDY301NZ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
97 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.43 руб.
от 10 шт.26 руб.
от 100 шт.11.08 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 194 руб.
Номенклатурный номер: 8002985060

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 0,2А, 0,625Вт, SOT523 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Lead Finish Matte Tin
Max Processing Temp 260
Maximum Continuous Drain Current 0.2 A
Maximum Drain Source Voltage 20 V
Maximum Gate Source Voltage ±12 V
Mounting Surface Mount
Operating Temperature -55 to 150 °C
RDS-on 5000@4.5V mOhm
Typical Fall Time 2.4 ns
Typical Rise Time 8 ns
Typical Turn-Off Delay Time 8 ns
Typical Turn-On Delay Time 6 ns
Brand: onsemi/Fairchild
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 8 ns
Forward Transconductance - Min: 1.1 S
Id - Continuous Drain Current: 200 mA
Manufacturer: onsemi
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-523-3
Pd - Power Dissipation: 630 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Product: MOSFET Small Signal
Qg - Gate Charge: 1.1 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 5 Ohms
Rise Time: 8 ns
Series: FDY301NZ
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: PowerTrench
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Type: MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time: 8 ns
Typical Turn-On Delay Time: 6 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -12 V, +12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 600 mV
Вес, г 0.028

Техническая документация

Datasheet
pdf, 305 КБ
Документация
pdf, 306 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов