MJE5731G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
180 руб.
от 10 шт. —
152 руб.
от 28 шт. —
135 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, PNP, -350V, 40W, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-350V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | 350 V |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1@0.2A@1A V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 350 V |
Maximum DC Collector Current | 1 A |
Maximum Operating Frequency | 10(Min)MHz |
Maximum Power Dissipation | 40000 mW |
Minimum DC Current Gain | 30@0.3A@10V|10@1A@10V |
Mounting | Through Hole |
Operating Temperature | -65 to 150 ?C |
Package | 3TO-220AB |
Packaging | Rail/Tube |
Pin Count | 3 |
Rad Hard | No |
Type | PNP |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Product Category | Bipolar Power |
Material | Si |
Configuration | Single |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 350 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 350 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1@0.2A@1A |
Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 40000 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 10(Min) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Automotive | No |
Supplier Package | TO-220AB |
Standard Package Name | TO-220 |
Military | No |
Package Height | 9.28(Max) |
Package Length | 10.53(Max) |
Package Width | 4.83(Max) |
PCB changed | 3 |
Tab | Tab |
Lead Shape | Through Hole |
Pd - рассеивание мощности | 40 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 15.75 mm |
Длина | 10.53 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 350 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 350 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 10 MHz |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | MJE5731 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.83 mm |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары