FDB3682

FDB3682
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
900 руб.
от 2 шт.780 руб.
от 5 шт.705 руб.
от 10 шт.662.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 900 руб.
Номенклатурный номер: 8002988162

Описание

Электроэлемент
MOSFET, N CH, 100V, 32A, TO-263AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V;

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Continuous Drain Current 6(A)
Drain-Source On-Volt 100(V)
Gate-Source Voltage (Max) '±20(V)
Mounting Surface Mount
Number of Elements 1
Operating Temp Range -55C to 175C
Operating Temperature Classification Military
Package Type D2PAK
Packaging Tape and Reel
Pin Count 2+Tab
Polarity N
Power Dissipation 95(W)
Rad Hardened No
Type Power MOSFET
Brand: onsemi/Fairchild
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 800
Fall Time: 32 ns
Id - Continuous Drain Current: 32 A
Manufacturer: onsemi
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SC-70-3
Part # Aliases: FDB3682_NL
Pd - Power Dissipation: 95 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 28 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 32 mOhms
REACH - SVHC: Details
Rise Time: 46 ns
Series: FDB3682
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: PowerTrench
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Type: MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time: 26 ns
Typical Turn-On Delay Time: 9 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Вес, г 1.312

Техническая документация

Datasheet
pdf, 449 КБ
Datasheet FDP3682
pdf, 2391 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов