FDC2512

FDC2512
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
380 руб.
от 2 шт.290 руб.
от 5 шт.232 руб.
от 10 шт.207.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 380 руб.
Номенклатурный номер: 8002988163

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 150В, 1,4А, 1,6Вт, SupeОмSOT-6 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Brand ON Semiconductor/Fairchild
Channel Mode Enhancement
Configuration Single Quad Drain
Factory Pack Quantity 3000
Fall Time 3.5 ns
Forward Transconductance - Min 4 S
Height 1.1 mm
Id - Continuous Drain Current 1.4 A
Length 2.9 mm
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case SSOT-6
Packaging Reel
Part # Aliases FDC2512_NL
Pd - Power Dissipation 1.6 W
Product MOSFET Small Signal
Product Category MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance 425 mOhms
Rise Time 3.5 ns
RoHS Details
Series FDC2512
Technology Si
Tradename PowerTrench
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 22 ns
Typical Turn-On Delay Time 6.5 ns
Unit Weight 0.00127 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 150 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Width 1.6 mm
Вес, г 0.042

Техническая документация

Документация
pdf, 578 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов