Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ON Semiconductor › FGL60N100BNTD

FGL60N100BNTD

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 760 руб.

от 2 шт. — 1 630 руб.

от 5 шт. — 1 510 руб.

от 10 шт. — 1 451.25 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 760 руб.

Альтернативные предложения1

Посмотреть аналоги1

Номенклатурный номер: 8002988185

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Электроэлемент

Описание Транзистор БТИЗ FGL60N100BNTD от ONSEMI представляет собой высокопроизводительный IGBT транзистор в корпусе TO264, предназначенный для монтажа THT. Этот компонент отличается током коллектора 60А и напряжением коллектор-эмиттер 1000В, что обеспечивает оптимальную работу в высоковольтных применениях. Мощность устройства достигает 180Вт, что позволяет использовать его в мощных электронных схемах. Модель FGL60N100BNTD гарантирует надежность и долговечность, становясь идеальным выбором для разработчиков и инженеров. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	БТИЗ
Вид	IGBT
Монтаж	THT
Ток коллектора, А	60
Напряжение коллектор-эмиттер, В	1000
Мощность, Вт	180
Корпус	TO264

Технические параметры

Brand	ON Semiconductor/Fairchild
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1000 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.5 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	60 A
Continuous Collector Current at 25 C	60 A
Continuous Collector Current Ic Max	60 A
Factory Pack Quantity	25
Gate-Emitter Leakage Current	+/-500 nA
Height	26 mm
Length	20 mm
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-25 V
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-264-3
Packaging	Tube
Part # Aliases	FGL60N100BNTDTU_NL
Pd - Power Dissipation	180 W
Product Category	IGBT Transistors
RoHS	Details
Series	FGL60N100BNTD
Technology	Si
Unit Weight	0.238311 oz
Width	5 mm
Вес, г	10