J113, Транзистор N-канал 30В 50мА 350мВт [TO-92]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 33 руб.
Описание
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Технические параметры
Структура | N-канал |
Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 35 |
Ток утечки (Idss), мА | 2(min) |
при Vds, В (Vgs=0) | 15 |
Напряжение отсечки (Vgs off), В | 0.5…3 |
при Id, нА | 1000 |
Сопротивление канала (RDS(On)), Ом | 100(max) |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.625 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | TO-92 |
Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 292 КБ
Документация
pdf, 451 КБ
J111, J112, J113, MMBFJ111, MMBFJ112, MMBFJ113
pdf, 445 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают