FJT44KTF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
120 руб.
от 10 шт. —
98 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 340 руб.
Описание
Электроэлемент
100nA 400V 2W 50@10mA,10V 300mA 750mV@50mA,5mA NPN +150°C@(Tj) SOT-223-4 BIpolar TransIstors - BJT
Технические параметры
Category | Bipolar Power |
Collector Current (DC) | 0.3(A) |
Collector-Base Voltage | 500(V) |
Configuration | Single |
DC Current Gain | 40 |
Emitter-Base Voltage | 6(V) |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Output Power | Not Required(W) |
Package Type | SOT-223 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 3+Tab |
Power Dissipation | 2(W) |
Rad Hardened | No |
Transistor Polarity | NPN |
Pd - рассеивание мощности | 2 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.6 mm |
Длина | 6.5 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.3 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 500 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.75 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.3 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | FJT44 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.56 mm |
Automotive | No |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Material | Si |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.75@1mA@10mA |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 500 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.4@0.1mA@1mA|0.5@1mA@10mA|0.75@5mA@50mA |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 400 |
Maximum DC Collector Current (A) | 0.3 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
Minimum DC Current Gain | 40@1mA@10V|50@10mA@10V|45@50mA@10V|40@100mA@10V |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Junction Temperature (°C) | 150 |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Bipolar Power |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-223 |
Tab | Tab |
Type | NPN |
Maximum Collector Base Voltage | 500 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 400 V |
Maximum DC Collector Current | 300 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2 W |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 325 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 323 КБ
Datasheet
pdf, 111 КБ
Datasheet FJT44KTF
pdf, 323 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов